收藏本站
型号 SI5903DC-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI5903DC-T1-GE3 PDF
代理商 SI5903DC-T1-GE3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 155 毫欧 @ 2.1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 600mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商设备封装 1206-8 ChipFET?
包装 带卷 (TR)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5904DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8
SI5904DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8
SI5905BDC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
SI5905BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
SI5905DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8
SI5905DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI5908DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8
SI5908DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 1206-8
SI5913DC-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V CHIPFET 1206-8